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N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 60 Volt V DS
* R DS(on) =2 ?
ZVN2106A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
60
450
8
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
60
V
I D =1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
0.8
2.4
V
ID=1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
I GSS
I DSS
20
500
100
nA
nA
μ A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =60 V, V GS =0
V DS =48 V, V GS =0V,
T=125°C (2)
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
I D(on)
R DS(on)
2
2
A
?
V DS =18V, V GS =10V
V GS =10V,I D =1A
Resistance (1)
Forward Transconductance
g fs
300
mS
V DS =18V,I D =1A
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
75
pF
Common Source Output
C oss
45
pF
V DS =18 V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance
C rss
20
pF
(2)
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